外媒：三星电子236层NAND闪存预计年内开始生产

2022-11-09 16:30:50　来源:TechWeb 阅读量：8149

据国外媒体报道，全球最大的存储芯片制造商三星电子预计将在今年内开始生产236层NAND闪存。

三星电子的236层NAND闪存预计今年开始生产，这是韩国媒体最先报道的。

韩国媒体在报道中还称，三星目前量产的NAND闪存最高是176层236层产品量产后，三星电子NAND闪存的层数将再创新高

据韩国媒体报道，三星电子对即将量产的236层NAND闪存寄予厚望他们在报告中称，三星电子目前在全球NAND闪存市场的份额约为35%在增加60层后，他们计划凭借生产技术，价格和性能方面的竞争优势来增加市场份额

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